VS-ETF150Y65U中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 650 V
输入电容Cies 6.6nF @30V
额定功率Max 417 W
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 33
封装 EMIPAK-2B
外形尺寸
高度 12 mm
封装 EMIPAK-2B
物理参数
工作温度 175℃ TJ
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-ETF150Y65U引脚图与封装图
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| VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor 威世 | Igbt 650V 150A Emipak-2B | 搜索库存 |