VNN3NV04TR-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电流 3.5 A
供电电流 0.1 mA
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 7 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
输出电流Max 3.5 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNN3NV04TR-E引脚图与封装图
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在线购买VNN3NV04TR-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNN3NV04TR-E | ST Microelectronics 意法半导体 | 岗AUTOPROTECTED功率MOSFET fully autoprotected Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VNN3NV04TR-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNN3NV04TR-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOT-223 | 当前型号 | 岗AUTOPROTECTED功率MOSFET fully autoprotected Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSP78 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223-4 0V 4Pin | 功能相似 | INFINEON BSP78 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 42V, 24A, SOT-223-4 | VNN3NV04TR-E和BSP78的区别 |
| 型号： BSP75GTA 品牌： 美台 封装： SOT-223 | 功能相似 | BSP75GTA 编带 | VNN3NV04TR-E和BSP75GTA的区别 |