VNP28N04-E中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83 W
输出接口数 1
供电电流 0.25 mA
漏源极电阻 0.035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 48 V
漏源击穿电压 42.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
输出电流Max 20 A
输出电流Min 20 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNP28N04-E引脚图与封装图 
VNP28N04-E引脚图
VNP28N04-E封装图
VNP28N04-E封装焊盘图
在线购买VNP28N04-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNP28N04-E | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS VNP28N04-E MOSFET Transistor, N Channel, 14A, 48V, 35mohm, 10V, 3V | 搜索库存 |
替代型号VNP28N04-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNP28N04-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 3Pin | 当前型号 | STMICROELECTRONICS VNP28N04-E MOSFET Transistor, N Channel, 14A, 48V, 35mohm, 10V, 3V | 当前型号 |
| 型号： VNP35N07-E 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 18A 28mohms | 类似代替 | STMICROELECTRONICS VNP35N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V | VNP28N04-E和VNP35N07-E的区别 |