VN2222LL-G-P003
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
VN2222LL-G-P003中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7.5 Ω
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400mW Ta, 1W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VN2222LL-G-P003引脚图与封装图 
VN2222LL-G-P003引脚图
VN2222LL-G-P003封装图
VN2222LL-G-P003封装焊盘图
在线购买VN2222LL-G-P003
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN2222LL-G-P003 | Microchip 微芯 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号VN2222LL-G-P003
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VN2222LL-G-P003 品牌： Microchip 微芯 封装： TO-92-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： VN2222LL-G 品牌： 微芯 封装： TO-226-3 | 功能相似 | Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管，Microchip | VN2222LL-G-P003和VN2222LL-G的区别 |