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VP2110K1-G

VP2110K1-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V

P-Channel 100V 120mA Tj 360mW Ta Surface Mount TO-236AB SOT23


得捷:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB


欧时:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -100


立创商城:
VP2110K1-G


贸泽:
MOSFET 100V 12Ohm


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
MOSFET; P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; -100V; 12 Ohm3 SOT-23T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 0.12A 3-Pin SOT-23


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 360mW; SOT23-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3


VP2110K1-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.36 W

针脚数 3

漏源极电阻 9 Ω

极性 P-CH

耗散功率 360 mW

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 0.12A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

VP2110K1-G引脚图与封装图
VP2110K1-G引脚图

VP2110K1-G引脚图

VP2110K1-G封装图

VP2110K1-G封装图

VP2110K1-G封装焊盘图

VP2110K1-G封装焊盘图

在线购买VP2110K1-G
型号 制造商 描述 购买
VP2110K1-G Microchip 微芯 晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V 搜索库存
替代型号VP2110K1-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： VP2110K1-G

品牌： Microchip 微芯

封装： SOT-23 P-CH 100V 0.12A

当前型号

晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V

当前型号

型号： BSS123LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 20pF

功能相似

N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

VP2110K1-G和BSS123LT1G的区别

型号： BSS123-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω

功能相似

三极管

VP2110K1-G和BSS123-7-F的区别

型号： 2N7002-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 4.4Ω

功能相似

2N7002-7-F 编带

VP2110K1-G和2N7002-7-F的区别