VMO650-01F
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IXYS Semiconductor
分立器件
VMO650-01F中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 690 A
极性 N-CH
耗散功率 2500W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 690 A
上升时间 500 ns
输入电容Ciss 59000pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Y3-DCB
外形尺寸
长度 110 mm
宽度 62 mm
高度 30 mm
封装 Y3-DCB
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VMO650-01F引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VMO650-01F | IXYS Semiconductor | Y3-DCB N-CH 100V 690A | 搜索库存 |