VWI35-06P1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
VWI35-06P1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 1.1nF @25V
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 18
封装 ECO-PAC
外形尺寸
高度 8 mm
封装 ECO-PAC
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VWI35-06P1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VWI35-06P1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 600V 31A 100000mW 18Pin ECO-PAC 2 | 搜索库存 |