VMO1200-01F
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IXYS Semiconductor
分立器件
VMO1200-01F中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 -
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 Y3-Li
外形尺寸
封装 Y3-Li
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VMO1200-01F引脚图与封装图
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