VTP1112H

Excelitas 探测器

Photodiode; 400-1150nm; λp max:925nm; 1.6mm²; 7nA; THT

Photodiode 580nm 30° Radial, Lensed Metal Can, TO-46-2

得捷:
SENSOR PHOTODIODE 580NM RADIAL

立创商城:
VTP1112H

艾睿:
Photodiode Chip 1150nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin TO-46

Allied Electronics:
Diode; Photo; SAR 400 to 1150nm; Id 7nA; Isc 90uA; Voc 350mV; TO-46; Rs 0.5Gohm; Cj 6pF

TME:
Photodiode; 400-1150nm; λp max:925nm; 1.6mm2; 7nA; THT

Newark:
# EXCELITAS TECH VTP1112H Photodiode, 15 °, 7 nA, 925 nm, TO-46-2

VTP1112H中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 140 V

波长 580 nm

视角 30°

峰值波长 1150 nm

工作温度Max 110 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-46-2

外形尺寸

封装 TO-46-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 110℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

VTP1112H引脚图与封装图

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