VJ0805A221JNAAT中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 220 pF
容差 ±5 %
电介质特性 C0G/NP0
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.45 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
温度系数 ±30 ppm/℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Exempt
含铅标准 Lead Free
VJ0805A221JNAAT引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VJ0805A221JNAAT | Vishay Semiconductor 威世 | VJ0805 系列 Vishay VJ 系列陶瓷电容器提供各种电容值、外壳尺寸和电压额定值。 此系列提供 C0G NPO 和 X7R 电介质选项，VJ 陶瓷电容器可适用于各种应用。 C0G 型号超稳定且为您提供极低的电容温度系数。 ### 产品应用信息 湿法构建过程 可靠的贵金属电极 NME 系统 极佳的耐老化特性 这些陶瓷电容器的合适应用包括浪涌抑制、过滤和去耦。 VJ 系列陶瓷电容器特别适用于传感器和扫描仪应用，还适用于计时和谐调电路。 ### 0805 系列 镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | 搜索库存 |
替代型号VJ0805A221JNAAT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VJ0805A221JNAAT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 0805 220pF ±5% 50V C0G/NP0 | 当前型号 | VJ0805 系列Vishay VJ 系列陶瓷电容器提供各种电容值、外壳尺寸和电压额定值。 此系列提供 C0G NPO 和 X7R 电介质选项，VJ 陶瓷电容器可适用于各种应用。 C0G 型号超稳定且为您提供极低的电容温度系数。### 产品应用信息湿法构建过程 可靠的贵金属电极 NME 系统 极佳的耐老化特性 这些陶瓷电容器的合适应用包括浪涌抑制、过滤和去耦。 VJ 系列陶瓷电容器特别适用于传感器和扫描仪应用，还适用于计时和谐调电路。 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | 当前型号 |
| 型号： 08055A221JAT2A 品牌： 艾维克斯 封装： 0805 220pF 50V 5per | 类似代替 | AVX 08055A221JAT2A 多层陶瓷电容器, 表面贴装, 220 pF, ± 5%, C0G / NP0, 50 V, 0805 [2012 公制] | VJ0805A221JNAAT和08055A221JAT2A的区别 |
| 型号： 0805N221J500CT 品牌： 台湾华科 封装： 220pF 50V 5per | 类似代替 | WALSIN 0805N221J500CT 多层陶瓷电容器, 表面贴装, 220 pF, ± 5%, C0G / NP0, 50 V, 0805 [2012 公制] | VJ0805A221JNAAT和0805N221J500CT的区别 |
| 型号： C0805C221J5GACAUTO 品牌： 基美 封装： 0805 220pF 50V 5per | 类似代替 | KEMET C0805C221J5GACAUTO 多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 MLCC系列, 220 pF, ± 5%, C0G / NP0, 50 V, 0805 [2012 公制] | VJ0805A221JNAAT和C0805C221J5GACAUTO的区别 |