VJ1812Y223KXGAT中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
电容 22000 pF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 1000 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 4532
封装 1812
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 3.2 mm
高度 2.18 mm
封装公制 4532
封装 1812
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
温度系数 ±15 %
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VJ1812Y223KXGAT引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VJ1812Y223KXGAT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VJ1812Y223KXGAT | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY VJ1812Y223KXGAT 陶瓷电容, 0.022uF, 1000V, X7R, 1812 | 搜索库存 |
替代型号VJ1812Y223KXGAT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VJ1812Y223KXGAT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 1812 22nF 1kV ±10% | 当前型号 | VISHAY VJ1812Y223KXGAT 陶瓷电容, 0.022uF, 1000V, X7R, 1812 | 当前型号 |
| 型号： 1812AC223KAT1A 品牌： 艾维克斯 封装： 1812 22nF 1kV 10per | 功能相似 | AVX 1812AC223KAT1A 多层陶瓷电容器, 表面贴装, 高电压, 0.022 µF, ± 10%, X7R, 1 kV, 1812 [4532 公制] | VJ1812Y223KXGAT和1812AC223KAT1A的区别 |
| 型号： C1812C223KDRACTU 品牌： 基美 封装： 22nF 1kV 10per | 功能相似 | KEMET C1812C223KDRACTU 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 0.022 µF, ± 10%, X7R, 1 kV, 1812 [4532 公制] | VJ1812Y223KXGAT和C1812C223KDRACTU的区别 |