VJ1812Y103KXGAT中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
电容 10000 pF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 1 kV
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 4532
封装 1812
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 3.2 mm
高度 2.18 mm
封装公制 4532
封装 1812
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VJ1812Y103KXGAT引脚图与封装图
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在线购买VJ1812Y103KXGAT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VJ1812Y103KXGAT | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY VJ1812Y103KXGAT 多层陶瓷电容器, 表面贴装, VJ系列, 0.01 µF, ± 10%, X7R, 1 kV, 1812 [4532 公制] | 搜索库存 |
替代型号VJ1812Y103KXGAT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VJ1812Y103KXGAT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 1812 10nF 1kV ±10% | 当前型号 | VISHAY VJ1812Y103KXGAT 多层陶瓷电容器, 表面贴装, VJ系列, 0.01 µF, ± 10%, X7R, 1 kV, 1812 [4532 公制] | 当前型号 |
| 型号： 1812AC103KAT1A 品牌： 艾维克斯 封装： 1812 10nF 1kV 10per | 完全替代 | AVX 1812AC103KAT1A 多层陶瓷电容器, 表面贴装, 高电压, 0.01 µF, ± 10%, X7R, 1 kV, 1812 [4532 公制] | VJ1812Y103KXGAT和1812AC103KAT1A的区别 |
| 型号： C4532X7R3A103K200KA 品牌： 东电化 封装： 10nF 1kV 10per | 完全替代 | TDK C4532X7R3A103K200KA 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 0.01 µF, ± 10%, X7R, 1 kV, 1812 [4532 公制] | VJ1812Y103KXGAT和C4532X7R3A103K200KA的区别 |
| 型号： C1812C103KDRACTU 品牌： 基美 封装： 1812 10nF 1kV 10per | 完全替代 | KEMET C1812C103KDRACTU 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 0.01 µF, ± 10%, X7R, 1 kV, 1812 [4532 公制] | VJ1812Y103KXGAT和C1812C103KDRACTU的区别 |