VJ0805A222JNAAT中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 2200 pF
容差 ±5 %
电介质特性 C0G/NP0
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.45 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
温度系数 ±30 ppm/℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Exempt
含铅标准 Lead Free
VJ0805A222JNAAT引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VJ0805A222JNAAT | Vishay Semiconductor 威世 | VJ0805 系列 Vishay VJ 系列陶瓷电容器提供各种电容值、外壳尺寸和电压额定值。 此系列提供 C0G NPO 和 X7R 电介质选项，VJ 陶瓷电容器可适用于各种应用。 C0G 型号超稳定且为您提供极低的电容温度系数。 ### 产品应用信息 湿法构建过程 可靠的贵金属电极 NME 系统 极佳的耐老化特性 这些陶瓷电容器的合适应用包括浪涌抑制、过滤和去耦。 VJ 系列陶瓷电容器特别适用于传感器和扫描仪应用，还适用于计时和谐调电路。 ### 0805 系列 镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | 搜索库存 |
替代型号VJ0805A222JNAAT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VJ0805A222JNAAT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 0805 2.2nF ±5% 50V C0G/NP0 | 当前型号 | VJ0805 系列Vishay VJ 系列陶瓷电容器提供各种电容值、外壳尺寸和电压额定值。 此系列提供 C0G NPO 和 X7R 电介质选项，VJ 陶瓷电容器可适用于各种应用。 C0G 型号超稳定且为您提供极低的电容温度系数。### 产品应用信息湿法构建过程 可靠的贵金属电极 NME 系统 极佳的耐老化特性 这些陶瓷电容器的合适应用包括浪涌抑制、过滤和去耦。 VJ 系列陶瓷电容器特别适用于传感器和扫描仪应用，还适用于计时和谐调电路。 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | 当前型号 |
| 型号： GRM2165C1H222JA01D 品牌： 村田 封装： 0805 2.2nF 50V 5per | 类似代替 | MURATA GRM2165C1H222JA01D 多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 2200 pF, ± 5%, C0G / NP0, 50 V, 0805 [2012 公制] | VJ0805A222JNAAT和GRM2165C1H222JA01D的区别 |
| 型号： C2012C0G1H222J060AA 品牌： 东电化 封装： 2012 2.2nF 50V 5per | 类似代替 | TDK C2012C0G1H222J060AA 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 2200 pF, ± 5%, C0G / NP0, 50 V, 0805 [2012 公制] | VJ0805A222JNAAT和C2012C0G1H222J060AA的区别 |
| 型号： C2012C0G1H222J085AA 品牌： 东电化 封装： 2012 2.2nF 50V 5per | 类似代替 | TDK C2012C0G1H222J085AA 陶瓷电容, 2200pF, 50V, C0G, 0805 | VJ0805A222JNAAT和C2012C0G1H222J085AA的区别 |