VJ1812Y104KXLAT4X
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
被动器件
VJ1812Y104KXLAT4X中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 630 V
电容 0.1 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 630 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 4832
封装 1812
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 3.2 mm
封装公制 4832
封装 1812
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
VJ1812Y104KXLAT4X引脚图与封装图
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在线购买VJ1812Y104KXLAT4X
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VJ1812Y104KXLAT4X | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY VJ1812Y104KXLAT4X 多层陶瓷电容器, 表面贴装, VJ OMD系列, 0.1 µF, ± 10%, X7R, 630 V, 1812 [4532 公制] | 搜索库存 |
替代型号VJ1812Y104KXLAT4X
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VJ1812Y104KXLAT4X 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 1812 100nF 630V ±10% | 当前型号 | VISHAY VJ1812Y104KXLAT4X 多层陶瓷电容器, 表面贴装, VJ OMD系列, 0.1 µF, ± 10%, X7R, 630 V, 1812 [4532 公制] | 当前型号 |
| 型号： C4532X7R2J104K230KA 品牌： 东电化 封装： 100mF 630V 10per | 类似代替 | TDK C4532X7R2J104K230KA 多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1812 [4532 公制], 0.1 µF, 630 V, ± 10%, X7R, C Series 新 | VJ1812Y104KXLAT4X和C4532X7R2J104K230KA的区别 |
| 型号： GRM43DR72J104KW01L 品牌： 村田 封装： 1812 100nF 630V ±10% | 类似代替 | MURATA GRM43DR72J104KW01L 多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 0.1 µF, ± 10%, X7R, 630 V, 1812 [4532 公制] | VJ1812Y104KXLAT4X和GRM43DR72J104KW01L的区别 |
| 型号： 1812CC104KAZ1A 品牌： 艾维克斯 封装： 100nF 630V 10per | 类似代替 | AVX 1812CC104KAZ1A 多层陶瓷电容器, 表面贴装, FLEXITERM®, 0.1 µF, ± 10%, X7R, 630 V, 1812 [4532 公制] | VJ1812Y104KXLAT4X和1812CC104KAZ1A的区别 |