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VQ1006P中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 4.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 90 V

漏源击穿电压 90.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 400 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 14

封装 DIP-14

外形尺寸

长度 19.56 mm

宽度 7.87 mm

高度 4.45 mm

封装 DIP-14

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

VQ1006P引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
VQ1006P Vishay Semiconductor 威世 N沟道80-和90 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 80- and 90-V D-S MOSFETs 搜索库存