VND920-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 2
供电电流 5 mA
耗散功率 6250 mW
输出电流Max 30 A
输出电流Min 30 A
耗散功率Max 6250 mW
封装参数
引脚数 28
封装 SOIC-28
外形尺寸
封装 SOIC-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VND920-E引脚图与封装图 
VND920-E引脚图
VND920-E封装图
VND920-E封装焊盘图
替代型号VND920-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND920-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SO | 当前型号 | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 28-SOIC | 当前型号 |
| 型号： VND920TR-E 品牌： 意法半导体 封装： SO | 完全替代 | 电源开关 IC - 配电 Double Ch High Side | VND920-E和VND920TR-E的区别 |
| 型号： VND920P-E 品牌： 意法半导体 封装： SO-28 | 完全替代 | Power Switch Hi Side 2Out 30A 0.016Ω Automotive 28Pin SO Tube | VND920-E和VND920P-E的区别 |
| 型号： VND920PTR-E 品牌： 意法半导体 封装： | 完全替代 | Power Switch Hi Side 2Out 30A 0.016Ω Automotive 28Pin SO T/R | VND920-E和VND920PTR-E的区别 |