VNS14NV04-E
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
输出接口数 1
供电电流 0.1 mA
漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 4600 mW
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
输出电流Max 12 A
输出电流Min 12 A
耗散功率Max 4600 mW
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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VNS14NV04-E | ST Microelectronics 意法半导体 | MOSFET OMNIFETII 40V 12A 8-SO | 搜索库存 |