VNS3NV04-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 8.30 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
输出电流Max 3.5 A
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNS3NV04-E引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNS3NV04-E | ST Microelectronics 意法半导体 | MOSFET OMNIFETII 40V 3.5A 8-SO | 搜索库存 |