VN820-12-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电流 9 A
耗散功率 65.8 W
输出电流Max 9 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 36 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Pentawatt-5
外形尺寸
封装 Pentawatt-5
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VN820-12-E引脚图与封装图
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在线购买VN820-12-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN820-12-E | ST Microelectronics 意法半导体 | Driver 9A 1Out Hi Side Non-Inv Automotive 5Pin5+Tab PENTAWATT Tube | 搜索库存 |
替代型号VN820-12-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VN820-12-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： Pentawatt-5 | 当前型号 | Driver 9A 1Out Hi Side Non-Inv Automotive 5Pin5+Tab PENTAWATT Tube | 当前型号 |
| 型号： VN820-11-E 品牌： 意法半导体 封装： PENTAWATT | 完全替代 | MOSFET DRVR 9A 1Out Hi Side Non-Inv 5Pin5+Tab PENTAWATT Tube | VN820-12-E和VN820-11-E的区别 |
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