VT6J1T2CR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
VT6J1T2CR中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 150 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.1A
上升时间 62 ns
输入电容Ciss 15pF @10VVds
额定功率Max 120 mW
下降时间 137 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VMT-6
外形尺寸
封装 VMT-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VT6J1T2CR引脚图与封装图 
VT6J1T2CR引脚图
VT6J1T2CR封装图
VT6J1T2CR封装焊盘图