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VTT9103H
Excelitas 探测器

EXCELITAS TECH  VTT9103H  光电晶体管

A medium area high sensitivity NPN silicon phototransistor in a recessed TO-106 ceramic package. The chip is protected with a lens of clear epoxy. The base connection is brought out allowing conventional transistor biasing.


e络盟:
光电晶体管


艾睿:
Phototransistor IR Chip Silicon NPN 3-Pin TO-106


Allied Electronics:
NPN Silicon phototransistor; TO-106; ceramic; fast response; Wide field of view


TME:
Phototransistor; 5V; 42°; 400-1050nm; 0.63mm2


Newark:
# EXCELITAS TECH  VTT9103H  Phototransistor, 42 °, 100 mW, 3 Pins, TO-106


VTT9103H中文资料参数规格
技术参数

额定电流 50.0 mA

针脚数 3

视角 42°

极性 NPN

耗散功率 100 mW

功耗 100 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

下降时间Max 10000 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min -20 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-106

外形尺寸

封装 TO-106

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VTT9103H引脚图与封装图
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