输出接口数 2
输出电流 4 A
耗散功率 650 mW
上升时间 20 ns
输出电流Max 4 A
下降时间 15 ns
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 40 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 650 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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V62/07624-02YE | TI 德州仪器 | 双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: V62/07624-02YE 品牌: TI 德州仪器 封装: SOIC 8Pin | 当前型号 | 双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE | 当前型号 | |
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型号: UCC27324QDRQ1 品牌: 德州仪器 封装: SOIC | 类似代替 | 汽车类同相 4A/4A 双通道低侧栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125 | V62/07624-02YE和UCC27324QDRQ1的区别 |