
额定电压DC 60.0 V
额定电流 150 mA
漏源极电阻 7.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 400mW Ta
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 150 mA
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 400 mW
耗散功率Max 400mW Ta
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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VN2222LL | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET 150毫安, 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: VN2222LL 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 N-Channel 60V 150mA 7.5Ω | 当前型号 | 小信号MOSFET 150毫安, 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts | 当前型号 | |
型号: VN2222LLRLRAG 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 60V 150mA 7.5ohms 60pF | 完全替代 | 小信号N沟道TO-92-3封装场效应管 | VN2222LL和VN2222LLRLRAG的区别 | |
型号: VN2222LLRLRA 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 150mA 7.5Ω 60pF | 完全替代 | 小信号MOSFET 150毫安, 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts | VN2222LL和VN2222LLRLRA的区别 | |
型号: VN2222LLG 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 60V 150mA 7.5ohms 60pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR VN2222LLG 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V | VN2222LL和VN2222LLG的区别 |