VO3120-X001
数据手册.pdfVishay Semiconductor(威世)
电子元器件分类
VO3120-X001中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 100 ns
通道数 1
正向电压 1.6V Max
耗散功率 295 mW
隔离电压 5300 Vrms
正向电流 25 mA
正向电压Max 1.6 V
正向电流Max 25 mA
下降时间 100 ns
下降时间Max 100 ns
上升时间Max 100 ns
工作温度Max 110 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 295 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
外形尺寸
高度 3.56 mm
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 110℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VO3120-X001引脚图与封装图
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在线购买VO3120-X001
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VO3120-X001 | Vishay Semiconductor 威世 | 逻辑输出光电耦合器 IGBT MOSFET Driver 2.5A | 搜索库存 |
替代型号VO3120-X001
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VO3120-X001 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 8-DIP | 当前型号 | 逻辑输出光电耦合器 IGBT MOSFET Driver 2.5A | 当前型号 |
| 型号： VO3120 品牌： 威世 封装： DIP 5.3kV 16mA 200mV | 完全替代 | VISHAY VO3120. 光电耦合器, 晶体管输出, 5300VRMS | VO3120-X001和VO3120的区别 |