VT6X2T2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
VT6X2T2R中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560 @1mA, 6V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 VMT-6
外形尺寸
封装 VMT-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VT6X2T2R引脚图与封装图
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在线购买VT6X2T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VT6X2T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN | 搜索库存 |
替代型号VT6X2T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VT6X2T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 6-SMD NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN | 当前型号 |
| 型号： VT6X12T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT NPN | 类似代替 | VMT NPN 50V 0.1A | VT6X2T2R和VT6X12T2R的区别 |
| 型号： VT6T2T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT PNP | 功能相似 | VMT PNP 50V 0.1A | VT6X2T2R和VT6T2T2R的区别 |