VDZT2R13B
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
VDZT2R13B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 13.0 V
容差 ±2 %
额定功率 100 mW
耗散功率 100 mW
测试电流 5 mA
稳压值 13.2 V
额定功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMD-2
外形尺寸
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
高度 0.5 mm
封装 SMD-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
VDZT2R13B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号VDZT2R13B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VDZT2R13B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 2-SMD 13V | 当前型号 | 硅外延刨床超小型模具类型（VMD2）的。高可靠性。齐纳二极管 | 当前型号 |
| 型号： CDZT2R13B 品牌： 罗姆半导体 封装： 2-SMD 13V | 功能相似 | VMN 13.2V 0.1W1/10W | VDZT2R13B和CDZT2R13B的区别 |