VDZT2R11B
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
VDZT2R11B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 11.0 V
容差 ±2 %
额定功率 100 mW
耗散功率 0.1 W
测试电流 5 mA
稳压值 11 V
额定功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMD-2
外形尺寸
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
高度 0.5 mm
封装 SMD-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VDZT2R11B引脚图与封装图 
VDZT2R11B引脚图
VDZT2R11B封装图
VDZT2R11B封装焊盘图
替代型号VDZT2R11B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VDZT2R11B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 2-SMD 11V | 当前型号 | VMD 10.99V 0.1W1/10W | 当前型号 |
| 型号： CDZT2R11B 品牌： 罗姆半导体 封装： 2-SMD 11V | 功能相似 | 稳压二极管 100MW 11V VMN2 | VDZT2R11B和CDZT2R11B的区别 |