VDZT2R8.2B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
VDZT2R8.2B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 8.20 V
容差 ±2 %
额定功率 100 mW
耗散功率 100 mW
测试电流 5 mA
稳压值 8.19 V
额定功率Max 100 mW
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 VMD-2
外形尺寸
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
高度 0.5 mm
封装 VMD-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VDZT2R8.2B引脚图与封装图 
VDZT2R8.2B引脚图
VDZT2R8.2B封装图
VDZT2R8.2B封装焊盘图
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| VDZT2R8.2B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | VMD 8.19V 0.1W1/10W | 搜索库存 |