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VLF252012MT-4R7M

VLF252012MT-4R7M

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

1008 4.7uH ±20% 1.09A

4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.09A 220mOhm Max 1008 2520 Metric


得捷:
FIXED IND 4.7UH 1.09A 220MOHM SM


贸泽:
Fixed Inductors 4.7uH 0.22ohms 0.62A +/-20%


艾睿:
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 1.09A 220mOhm DCR 1008 T/R


VLF252012MT-4R7M中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.09 A

容差 ±20 %

电感 4.7 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) ≤220 mΩ

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 220 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

长度 2.5 mm

宽度 2 mm

高度 1.2 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/06/15

VLF252012MT-4R7M引脚图与封装图
VLF252012MT-4R7M引脚图

VLF252012MT-4R7M引脚图

VLF252012MT-4R7M封装图

VLF252012MT-4R7M封装图

VLF252012MT-4R7M封装焊盘图

VLF252012MT-4R7M封装焊盘图

在线购买VLF252012MT-4R7M
型号 制造商 描述 购买
VLF252012MT-4R7M TDK 东电化 1008 4.7uH ±20% 1.09A 搜索库存
替代型号VLF252012MT-4R7M
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VLF252012MT-4R7M

品牌: TDK 东电化

封装: 1008 4.7uH 1.09A

当前型号

1008 4.7uH ±20% 1.09A

当前型号

型号: VLS252012HBX-4R7M-1

品牌: 东电化

封装: 4.7uH

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VLF252012MT-4R7M和VLS252012HBX-4R7M-1的区别

型号: IFSC1008ABER4R7M01

品牌: 威世

封装: 4.7uH

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VLF252012MT-4R7M和IFSC1008ABER4R7M01的区别