VLS2012ET-6R8M
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
VLS2012E 系列磁性屏蔽线绕电感器VLS2010E 系列具有高磁性屏蔽结构且与高密度安装兼容薄型产品系列，具有最大 0.8mm、0.95mm、1.0mm、1.2mm 和 1.5mm 的高度，因此可用于不同用途 应用包括：智能手机、平板电脑终端、HDD、SSD、DVC、DSC、移动显示面板、便携式游戏设备和紧凑型电源模块 ### TDK 非标准 SMT 电感器（扼流圈）
固定器
得捷:
FIXED IND 6.8UH 570MA 498MOHM SM
欧时:
### VLS2012E 系列磁性屏蔽线绕电感器VLS2010E 系列具有高磁性屏蔽结构且与高密度安装兼容薄型产品系列，具有最大 0.8mm、0.95mm、1.0mm、1.2mm 和 1.5mm 的高度，因此可用于不同用途 应用包括：智能手机、平板电脑终端、HDD、SSD、DVC、DSC、移动显示面板、便携式游戏设备和紧凑型电源模块 ### TDK 非标准 SMT 电感器（扼流圈）
艾睿:
Inductor Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 0.69A 0.498Ohm DCR T/R
安富利:
Ind Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz 690mA T/R
Verical:
Inductor Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 0.69A 0.498Ohm DCR T/R