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VN808CM-32-E

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数据手册.pdf

STMicroelectronics智能电源开关 IPS 将控制截面的逻辑接口、驱动器、诊断和保护功能与高侧和高侧配置的功率级集成。### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。

智能高侧电源开关,STMicroelectronics

智能电源开关 IPS 将控制截面的逻辑接口、驱动器、诊断和保护功能与高侧和高侧配置的功率级集成。


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO36


立创商城:
VN808CM 32 E


欧时:
### 智能高侧电源开关,STMicroelectronics智能电源开关 IPS 将控制截面的逻辑接口、驱动器、诊断和保护功能与高侧和高侧配置的功率级集成。### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。


艾睿:
Current Limit SW 8-IN 8-OUT to 1.7A 36-Pin PowerSO Tube


安富利:
MOSFET DRVR 1A 8-OUT Hi Side Non-Inv 36-Pin PowerSO Tube


Chip1Stop:
MOSFET DRVR 1A 8-OUT Hi Side Non-Inv 38-Pin 36+2Tab PowerSO Tube


Verical:
Current Limit SW 8-IN 8-OUT to 1.7A 36-Pin PowerSO Tube


儒卓力:
**8xHSS 200mOhm 45V PowerSO36 SMD **


VN808CM-32-E中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.5V min

输出接口数 8

输出电流 1 A

耗散功率 96 W

输出电流Max 1 A

输入数 8

耗散功率Max 96000 mW

电源电压 24 V

电源电压Max 45 V

电源电压Min 10.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 36

封装 PowerSO-36

外形尺寸

长度 16 mm

宽度 11.1 mm

高度 3.3 mm

封装 PowerSO-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

VN808CM-32-E引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
VN808CM-32-E ST Microelectronics 意法半导体 STMicroelectronics 智能电源开关 IPS 将控制截面的逻辑接口、驱动器、诊断和保护功能与高侧和高侧配置的功率级集成。 ### 电源和负载开关,Toshiba 集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。 搜索库存
替代型号VN808CM-32-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VN808CM-32-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: PowerSO-36 10.5V 1A

当前型号

STMicroelectronics智能电源开关 IPS 将控制截面的逻辑接口、驱动器、诊断和保护功能与高侧和高侧配置的功率级集成。### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。

当前型号

型号: VN808CMTR-32-E

品牌: 意法半导体

封装: 36-BSSOP

功能相似

八通道高侧驱动器 Octal channel high side driver

VN808CM-32-E和VN808CMTR-32-E的区别