VNQ660SP中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 36.0V max
额定电压DC 36.0 V
输出接口数 4
输出电流 6 A
供电电流 40.0 mA
通道数 4
漏源极电阻 130 mΩ
耗散功率 113600 mW
漏源极电压Vds 41.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 mA
输出电流Max 6 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 6V ~ 36V
电源电压Max 36 V
电源电压Min 5.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 12
封装 PowerSO-10
外形尺寸
封装 PowerSO-10
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNQ660SP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VNQ660SP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNQ660SP | ST Microelectronics 意法半导体 | 四通道高侧固态继电器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY | 搜索库存 |
替代型号VNQ660SP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNQ660SP 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | 四通道高侧固态继电器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY | 当前型号 |
| 型号： VNQ660SP13TR 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10 36V | 类似代替 | 四通道高侧固态继电器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY | VNQ660SP和VNQ660SP13TR的区别 |
| 型号： VNQ660SP-E 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 6V 6A 10Pin | 功能相似 | STMICROELECTRONICS VNQ660SP-E 驱动器芯片, 高压侧, 6V-36V电源, 10A输出, 40µs延迟, SOIC-10 | VNQ660SP和VNQ660SP-E的区别 |