VNQ830M中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 4
供电电流 0.012 mA
耗散功率 6250 mW
输出电流Max 6 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 6250 mW
封装参数
引脚数 28
封装 SOIC-28
外形尺寸
高度 2.35 mm
封装 SOIC-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VNQ830M引脚图与封装图
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在线购买VNQ830M
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNQ830M | ST Microelectronics 意法半导体 | 四通道高端驱动器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | 搜索库存 |
替代型号VNQ830M
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNQ830M 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | 四通道高端驱动器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | 当前型号 |
| 型号： VNQ830M13TR 品牌： 意法半导体 封装： SO-28 | 功能相似 | 四通道高端驱动器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | VNQ830M和VNQ830M13TR的区别 |