V62/03639-01XE
TI
德州仪器
主动器件
V62/03639-01XE中文资料参数规格
技术参数
频率 133 MHz
电源电压DC 3.15V ~ 3.45V
电路数 2
电压波节 3.30 V
存取时间 5 ns
输出电流驱动 -250 µA
存取时间Max 5 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
电源电压Max 3.45 V
电源电压Min 3.15 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 80
封装 LQFP-80
外形尺寸
宽度 14 mm
高度 1.4 mm
封装 LQFP-80
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
V62/03639-01XE引脚图与封装图
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在线购买V62/03639-01XE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| V62/03639-01XE | TI 德州仪器 | 增强型产品 8192 X 18 同步 Fifo 存储器 80-LQFP -55 to 125 | 搜索库存 |
替代型号V62/03639-01XE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： V62/03639-01XE 品牌： TI 德州仪器 封装： LQFP 3.15V to 3.45V 80Pin | 当前型号 | 增强型产品 8192 X 18 同步 Fifo 存储器 80-LQFP -55 to 125 | 当前型号 |
| 型号： SN74V263PZAEP 品牌： 德州仪器 封装： 80-LQFP 3.15V to 3.45V 80Pin | 完全替代 | FIFO（先进先出）存储器，Texas Instruments WO### FIFO（先进先出）存储器 | V62/03639-01XE和SN74V263PZAEP的区别 |
| 型号： SN74V263-6PZA 品牌： 德州仪器 封装： 80-LQFP 18000B 3.15V to 3.45V 80Pin | 类似代替 | 8192 】 18 ， 16384 】 18 ， 32768 】 18 ：65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES | V62/03639-01XE和SN74V263-6PZA的区别 |
| 型号： SN74V263-7PZA 品牌： 德州仪器 封装： 80-LQFP 18000B 3.15V to 3.45V 80Pin | 类似代替 | 8192 】 18 ， 16384 】 18 ， 32768 】 18 ：65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES | V62/03639-01XE和SN74V263-7PZA的区别 |