VNQ810M-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 4
耗散功率 6250 mW
输出电流Max 700 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Min 5.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
外形尺寸
封装 SOIC-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNQ810M-E引脚图与封装图 
VNQ810M-E引脚图
VNQ810M-E封装图
VNQ810M-E封装焊盘图
在线购买VNQ810M-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNQ810M-E | ST Microelectronics 意法半导体 | 四通道高端驱动器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | 搜索库存 |
替代型号VNQ810M-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNQ810M-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | 四通道高端驱动器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | 当前型号 |
| 型号： VNQ810MTR-E 品牌： 意法半导体 封装： 28-SOIC | 完全替代 | Power Switch Hi Side 0.6A 28Pin SO T/R | VNQ810M-E和VNQ810MTR-E的区别 |