VND830中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 2
供电电流 0.012 mA
耗散功率 8300 mW
输出电流Max 6 A
输出电流Min 9 A
耗散功率Max 8300 mW
电源电压 5.5V ~ 36V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VND830引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VND830
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND830 | ST Microelectronics 意法半导体 | 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | 搜索库存 |
替代型号VND830
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND830 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 16-SOIC | 当前型号 | 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | 当前型号 |
| 型号： VND83013TR 品牌： 意法半导体 封装： 16-SOIC | 完全替代 | 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | VND830和VND83013TR的区别 |