VND830AEP-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 2
供电电流 7 mA
耗散功率 8300 mW
输出电流Max 6 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 8300 mW
电源电压 13 V
电源电压Min 5.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 24
封装 PowerSSO-24
外形尺寸
封装 PowerSSO-24
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VND830AEP-E引脚图与封装图 
VND830AEP-E封装图
VND830AEP-E封装焊盘图
在线购买VND830AEP-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND830AEP-E | ST Microelectronics 意法半导体 | MOSFET DRVR 6A 2Out Hi Side Non-Inv 24Pin PowerSSO EP Tube | 搜索库存 |
替代型号VND830AEP-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND830AEP-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerSSO | 当前型号 | MOSFET DRVR 6A 2Out Hi Side Non-Inv 24Pin PowerSSO EP Tube | 当前型号 |
| 型号： VND830AEPTR-E 品牌： 意法半导体 封装： PowerSSO-24 | 完全替代 | 马达/运动/点火控制器和驱动器 DBLE CH HI-SIDE DRVR | VND830AEP-E和VND830AEPTR-E的区别 |
| 型号： VND5050AK-E 品牌： 意法半导体 封装： PowerSSO-24 | 类似代替 | IC，高侧电源开关，STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作，它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路，用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关，STMicroelectronics | VND830AEP-E和VND5050AK-E的区别 |
| 型号： VND830ASP 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO | 类似代替 | 双通道高侧固态继电器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY | VND830AEP-E和VND830ASP的区别 |