VN920DSPTR-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
耗散功率 96100 mW
输出电流Max 30 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 96100 mW
电源电压 13 V
电源电压Min 5.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 12
封装 PowerSO-10
外形尺寸
封装 PowerSO-10
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VN920DSPTR-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VN920DSPTR-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN920DSPTR-E | ST Microelectronics 意法半导体 | MOSFET DRVR 25A 1Out Hi Side Non-Inv 10Pin10+2Tab PowerSO T/R | 搜索库存 |
替代型号VN920DSPTR-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VN920DSPTR-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerSO-10 | 当前型号 | MOSFET DRVR 25A 1Out Hi Side Non-Inv 10Pin10+2Tab PowerSO T/R | 当前型号 |
| 型号： VN920DSP13TR 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO | 完全替代 | 高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER | VN920DSPTR-E和VN920DSP13TR的区别 |
| 型号： VN920DSP 品牌： 意法半导体 封装： | 类似代替 | 高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER | VN920DSPTR-E和VN920DSP的区别 |