输出接口数 2
供电电流 0.012 mA
耗散功率 74000 mW
输出电流Max 18 A
输出电流Min 18 A
耗散功率Max 74000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 PowerSO-10
封装 PowerSO-10
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
VND830LSP-E引脚图
VND830LSP-E封装图
VND830LSP-E封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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VND830LSP-E | ST Microelectronics 意法半导体 | 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: VND830LSP-E 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: PowerSO | 当前型号 | 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | 当前型号 | |
型号: VND830LSPTR-E 品牌: 意法半导体 封装: PowerSO | 完全替代 | Power Switch Hi Side 2Out 18A 0.06Ω Automotive 12Pin10+2Tab PowerSO T/R | VND830LSP-E和VND830LSPTR-E的区别 | |
型号: VND830LSP 品牌: 意法半导体 封装: PowerSO | 完全替代 | 双通道高侧驱动器 Double channel high-side driver | VND830LSP-E和VND830LSP的区别 | |
型号: VND830LSP13TR 品牌: 意法半导体 封装: PowerSO-12 | 功能相似 | Power Switch Hi Side 2Out 18A 0.06Ω 12Pin10+2Tab PowerSO T/R | VND830LSP-E和VND830LSP13TR的区别 |