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VND830LSP-E

VND830LSP-E

数据手册.pdf

双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 18A 10-PowerSO


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10


艾睿:
Power Switch Hi Side 18A Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube


安富利:
Power Switch Hi Side 18A 10-Pin10+2Tab PowerSO Tube


Chip1Stop:
Power Switch Hi Side 18A Automotive 10-Pin10+2Tab PowerSO Tube


VND830LSP-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 2

供电电流 0.012 mA

耗散功率 74000 mW

输出电流Max 18 A

输出电流Min 18 A

耗散功率Max 74000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VND830LSP-E引脚图与封装图
VND830LSP-E引脚图

VND830LSP-E引脚图

VND830LSP-E封装图

VND830LSP-E封装图

VND830LSP-E封装焊盘图

VND830LSP-E封装焊盘图

在线购买VND830LSP-E
型号 制造商 描述 购买
VND830LSP-E ST Microelectronics 意法半导体 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER 搜索库存
替代型号VND830LSP-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VND830LSP-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: PowerSO

当前型号

双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

当前型号

型号: VND830LSPTR-E

品牌: 意法半导体

封装: PowerSO

完全替代

Power Switch Hi Side 2Out 18A 0.06Ω Automotive 12Pin10+2Tab PowerSO T/R

VND830LSP-E和VND830LSPTR-E的区别

型号: VND830LSP

品牌: 意法半导体

封装: PowerSO

完全替代

双通道高侧驱动器 Double channel high-side driver

VND830LSP-E和VND830LSP的区别

型号: VND830LSP13TR

品牌: 意法半导体

封装: PowerSO-12

功能相似

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