VND830E-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 2
输出电流 18 A
供电电流 0.012 mA
耗散功率 8.3 W
输出电流Max 9.5 A
输入数 2
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 8300 mW
封装参数
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VND830E-E引脚图与封装图
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在线购买VND830E-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND830E-E | ST Microelectronics 意法半导体 | 13.5A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO16, ROHS COMPLIANT, SOP-16 | 搜索库存 |
替代型号VND830E-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND830E-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 16-SOIC | 当前型号 | 13.5A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO16, ROHS COMPLIANT, SOP-16 | 当前型号 |
| 型号： VND830E 品牌： 意法半导体 封装： 16-SOIC | 类似代替 | 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER | VND830E-E和VND830E的区别 |