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VND5050AJ-E

VND5050AJ-E

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IC,高侧电源开关,STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关,STMicroelectronics

电源 IC,高侧电源开关,STMicroelectronics

高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。

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得捷:
IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12


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VND5050AJ E


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STMicroelectronics VND5050AJ-E 双 MOSFET 功率驱动器, 4.5 → 36 V电源, 12引脚 PowerSSO封装


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电源开关 IC - 配电 Double Ch Hi Side Driver analog


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电源负载分配开关, 高压侧, 13 V输入, 18 A, 0.05ohm, 2输出, PowerSSO-12


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Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 24A Automotive 12-Pin PowerSSO EP Tube


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MOSFET DRVR 2-OUT Hi Side 12-Pin PowerSSO Tube


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VND5050AJ 系列 36 V 50 mOhm 表面贴装 双通道 高边 驱动器-PowerSSO-12


VND5050AJ-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 2

针脚数 12

输出电流Max 12 A

输入数 2

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 36V

电源电压Max 36 V

电源电压Min 4.5 V

输入电压 4.5V ~ 36V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 PowerSSO-12

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.62 mm

封装 PowerSSO-12

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VND5050AJ-E引脚图与封装图
VND5050AJ-E引脚图

VND5050AJ-E引脚图

VND5050AJ-E封装图

VND5050AJ-E封装图

VND5050AJ-E封装焊盘图

VND5050AJ-E封装焊盘图

在线购买VND5050AJ-E
型号 制造商 描述 购买
VND5050AJ-E ST Microelectronics 意法半导体 IC,高侧电源开关,STMicroelectronics 高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。 ### 智能电源开关,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号VND5050AJ-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VND5050AJ-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: PowerSSO-12

当前型号

IC,高侧电源开关,STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关,STMicroelectronics

当前型号

型号: VND5050AJTR-E

品牌: 意法半导体

封装: Power

完全替代

VND5050AJ 系列 双 36 V 12 A 表面贴装 高压侧 驱动器 - PowerSSO-12

VND5050AJ-E和VND5050AJTR-E的区别