VNB10N07中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
漏源极电阻 140 mΩ
耗散功率 50.0 W
漏源击穿电压 10.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
输出电流Max 7 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNB10N07引脚图与封装图 
VNB10N07引脚图
VNB10N07封装图
VNB10N07封装焊盘图
在线购买VNB10N07
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNB10N07 | ST Microelectronics 意法半导体 | ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VNB10N07
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNB10N07 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-263-3 | 当前型号 | ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 当前型号 |
| 型号： VNB10N07-E 品牌： 意法半导体 封装： | 类似代替 | 电源负载分配开关, 低压侧, 18 V输入, 10 A, 0.1 ohm, 1输出, TO-263-3 | VNB10N07和VNB10N07-E的区别 |
| 型号： VNB10N0713TR 品牌： 意法半导体 封装： | 类似代替 | MOSFET OMNI N-CH 70V 10A D2PAK | VNB10N07和VNB10N0713TR的区别 |