VND3NV04-1-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 35000 mW
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
输出电流Max 3.5 A
输入数 1
耗散功率Max 35000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VND3NV04-1-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VND3NV04-1-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND3NV04-1-E | ST Microelectronics 意法半导体 | OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VND3NV04-1-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND3NV04-1-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-251-3 | 当前型号 | OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： VND3NV04-1 品牌： 意法半导体 封装： | 类似代替 | “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | VND3NV04-1-E和VND3NV04-1的区别 |