VNS3NV04D13TR中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 2
供电电流 0.1 mA
通道数 2
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 4000 mW
漏源击穿电压 45.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
输出电流Max 3.5 A
输出电流Min 3.5 A
耗散功率Max 4000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNS3NV04D13TR引脚图与封装图
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在线购买VNS3NV04D13TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNS3NV04D13TR | ST Microelectronics 意法半导体 | OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VNS3NV04D13TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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