锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

VND7N04-E

晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

For all your high current and voltage switching needs, use this low side power switch by STMicroelectronics to get the fastest on and off response. This charge controller has single output. This device has a maximum power dissipation of 60000 mW. This charge controller has an input voltage of 18Max V. It features 0.28Max Ohm switch on resistance. Its maximum power dissipation is 60000 mW. This device has a supply current of 0.25 mA and a minimum output current of 4 A. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube.

VND7N04-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 11 A

供电电流 0.25 mA

针脚数 3

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 42 V

漏源击穿电压 42.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输入电压Max 18 V

输出电流Max 4 A

输出电流Min 4 A

输入数 1

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 60000 mW

输入电压 18 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VND7N04-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VND7N04-E
型号 制造商 描述 购买
VND7N04-E ST Microelectronics 意法半导体 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号VND7N04-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VND7N04-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252-3

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: VND7N04TR-E

品牌: 意法半导体

封装: TO-252

类似代替

VND7N04 单通道 低边 自保护 42 V 7 A 0.14 Ohm 功率MOSFET -TO-252-3

VND7N04-E和VND7N04TR-E的区别

型号: VND7N0413TR

品牌: 意法半导体

封装: DPAK

类似代替

VND7N04系列 N沟道 42 V 0.14 Ohm 自保护 功率MOSFET-TO-252-3

VND7N04-E和VND7N0413TR的区别

型号: VND7N04

品牌: 意法半导体

封装: TO-252

类似代替

“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET

VND7N04-E和VND7N04的区别