VND1NV0413TR中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 35000 mW
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
输出电流Max 1.7 A
输入数 1
耗散功率Max 35000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VND1NV0413TR引脚图与封装图
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在线购买VND1NV0413TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND1NV0413TR | ST Microelectronics 意法半导体 | “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VND1NV0413TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND1NV0413TR 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 当前型号 |
| 型号： VND1NV04 品牌： 意法半导体 封装： | 完全替代 | “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | VND1NV0413TR和VND1NV04的区别 |
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