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VSLY3850

VSLY3850

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Vishay Semiconductor(威世) 电子元器件分类

VISHAY  VSLY3850  红外发射器, 高速, 18 °, T-1 3mm, 100 mA, 1.9 V, 10 ns, 10 ns

The is a 850nm high speed Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and moulded in a clear. It is suitable for high pulse current operation.

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High speed
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High radiant power
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High radiant intensity
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±18° Angle of half intensity
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Good spectral matching with CMOS cameras
VSLY3850中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 0.01 µs

针脚数 2

正向电压 1.65 V

波长 850 nm

视角 18°

峰值波长 870 nm

耗散功率 190 mW

上升时间 10 ns

正向电流 100 mA

正向电压Max 1.9 V

正向电流Max 100 mA

下降时间 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 190 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

高度 4.5 mm

封装 T-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 消费电子产品, Communications & Networking, Consumer Electronics, 通信与网络, 信号处理, Signal Processing

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VSLY3850引脚图与封装图
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VSLY3850 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  VSLY3850  红外发射器, 高速, 18 °, T-1 3mm, 100 mA, 1.9 V, 10 ns, 10 ns 搜索库存