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VNS7NV0413TR

VNS7NV0413TR

数据手册.pdf
ST Microelectronics 意法半导体 分立器件
VNS7NV0413TR中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 60.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 4600 mW

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输出电流Max 12 A

输入数 1

耗散功率Max 4600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP

外形尺寸

封装 SOP

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

VNS7NV0413TR引脚图与封装图
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VNS7NV0413TR ST Microelectronics 意法半导体 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 搜索库存