V60100P-E3/45中文资料参数规格
技术参数
正向电压 790mV @30A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
V60100P-E3/45引脚图与封装图
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在线购买V60100P-E3/45
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| V60100P-E3/45 | Vishay Semiconductor 威世 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.456 V在IF = 10 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A | 搜索库存 |
替代型号V60100P-E3/45
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： V60100P-E3/45 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-247AD | 当前型号 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.456 V在IF = 10 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A | 当前型号 |
| 型号： V60100PW-M3/4W 品牌： 威世 封装： TO-3PW | 功能相似 | TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor | V60100P-E3/45和V60100PW-M3/4W的区别 |