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VS-GB100TH120U

VS-GB100TH120U

数据手册.pdf

INT-A-PAK

IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK


得捷:
IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 200A 7-Pin Double INT-A-PAK


VS-GB100TH120U中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1136000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 8.45nF @20V

额定功率Max 1136 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1136000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

VS-GB100TH120U引脚图与封装图
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